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肖特基二极管和快恢复二极管的区别?

2018-07-12 16:08:25

在电子行业中使用快恢复二极管和肖特基二极管的客户并不少,但是真正可以说出它们之间的区别就很少。 


  肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件,其特长是开关速度非常快,反向恢复时间可以小到几个纳秒,正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作,电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。 
  肖特基二极管是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺染剂的N一外延层。阳性(阻挡层)金属材料是钼。二氧化硅用来消除边缘区域电场,提高肖特基二极管的耐压值。N型基片掺杂浓度比N一层高100倍,具有很小的通态电阻。基片下部的N+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。


  快恢复二极管是近年来问世的新型半导体器件,它具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管,在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。      
  快恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间trr,其定义是:电流流过零点由正向转换成反向,再由反向转换到规定的值Irr时的时间间隔,它是衡量高频续流、整流器件性能的重要技术参数。    
  快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降, 使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。


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