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MOS管驱动

2018-07-13 17:47:38

跟双极性晶体管相比,普通以为使MOS管导通不需求电流,只需GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需求速度。在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,理论上就是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流,由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要留意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二留意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需求是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。假设在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要特地的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要留意的是应该选择适合的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需求有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。往常也有导通电压更小的MOS管用在不同的范畴里,但在12V汽车电子系统里,普通4V导通就够用了。

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